زلف بر رخ می گشاید دام صحبت می نهد
گرم مهری گر نماید داغ حسرت می نهد
در ره اهل محبت خار محنت می نهد
او که بر برگ گل تر پا به زحمت می نهد
می نهد بر جان من صد کوه و منت می نهد
داغ جورش بر سر من تاج عزت می نهد
سر به جای پایش از روی محبت می نهد

وزن : فاعلاتن فاعلاتن فاعلاتن فاعلات / بحر رمل مثمن مقصور
موضوع کلی:عشق ورزیدن و سختی های راه عشق /
غزل مردّف با ردیف فعلی.
۱-شوخ، کنایه از معشوق ./ عشرت، شادی ./ دام صحبت، تشبیه بلیغ اضافی./
۲-آفتاب، استعاره از معشوق./ گرم مهری، محبت وعشق ورزی./ آفتاب وذرّه، تضاد./
۳-نهاد بیت، صبا است./ اهل محبت، کنایه از عاشقان./ خار محنت، تشبیه بلیغ اضافی./
۴-خار مژه، تشبیه بلیغ اضافی./ گل تر، ترکیب وصفی به معنی گل شاداب./ بیت استفهام انکاری دارد./
۵-برگ کاه، کنایه از چیز سبک ./بار عشق، تشبیه بلیغ اضافی./ تاب، تحمل./ کوه وکاه، تضاد وجناس ناقص اختلافی./
۶- چو شمع، تشبیه./ ماه روی، تشبیه./داغ پیشانی کشیدن بر چیزی، کنایه از نشان بندگی بر پیشانی کسی نهادن./تاج بر سر کسی نهادن،کنایه از ارزش واعتبار برای کسی قائل شدن./

(( اینجا فقط تکه ای از متن درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. ))

۷-سر بر خاک نهادن، کنایه از نهایت خاکساری وتواضع
غزل ۵۳۴

سر به جای پای در میخانه می باید نهاد
گر خراباتی و مستی جامه ی رندی بپوش
اندک اندک چند سوزد کس به داغ عاشقی
واعظا، ما نیز بیداریم پر افسون مدم
اهلی آن گنجی که می جوئی در این ویرانه نیست

جای مردان را قدم مردانه می باید نهاد
ورنه این زهد و ورع در خانه می باید نهاد
داغ دل یک باره چون پروانه می باید نهاد
کودکان را گوش بر افسانه می باید نهاد
پا برون زین عالم ویرانه می باید نهاد

وزن : فاعلاتن فاعلاتن فاعلاتن فاعلات / بحر رمل مثمن مقصور
موضوع کلی:عشق ورزیدن و سختی های راه عشق /
غزل مردّف با ردیف عبارت فعلی.
۱-می باید، معادل باید، ویژگی سبکی است./سر وپا، تناسب./
۲-خراباتی، کنایه از مست./جامه ی رندی، کنایه از لباس درویشی./وع، پرهیزکاری./درخانه نهادن، کنایه از آشکار نکردن./
۳-داغ،ایهام دارد.۱-نشان وعلامت ۲- سوز وگرما./ چون پروانه، تشبیه./
۴-دمیدن، کنایه از فریب دادن./ کودکان وافسانه گوش کردن، تناسب است./
۵-این ویرانه، استعاره از دنیا./یا برون نهادن از ویرانه، کنایه از مردن./
غزل ۵۳۴

شکل ۵-۴) مقایسه کالوس­زایی حاصل از ریزنمونه­های گره­ای در حضور غلظت­های گوناگون هورمون Picoloram. (A) غلظت mg.l^-11. (B) غلظت mg.l^-12. © غلظت mg.l^-13. (D) غلظت mg.l^-14. (E) غلظت mg.l^-15. (F) غلظت mg.l^-16.
۵-۷- آزمایش ۷: بررسی اثر NAA بر روی رشد و نمو گیاهچه:
یکی از فاکتورهای مهم در در انتخاب گیاهچه مطلوب وضعیت مناسب ریشه در گیاهچه می­باشد که این مهم با بهره گرفتن از هورمون­های خانواده اکسین قابل حصول می­باشد. هورمون NAA یکی از مهم­ترین هورمون­های خانواده اکسین می­باشد که باعث افزایش تعداد و طول ریشه می­گردد.
نتایج حاصل از آزمایش نشان داد که حضور هورمون NAA در محیط سبب افزایش معنی­دار تعداد و طول ریشه نسبت به محیط کشت فاقد این هورمون گردیده و نوع رقم تاثیر بر آن نداشت. با توجه به این که بین محیط­های کشت دارای غلظت­های مختلف هورمون NAA تیمارهای دوم و ششم به لحاظ تعداد و طول ریشه برتر می­باشند و نظر به این­که تیمار دوم از لحاظ سایر صفت­های اندازه ­گیری شده نسبت به تیمار ششم دارای برتری می­باشد به عنوان غلظت برتر معرفی می­گردد. هم­چنین به منظور امکان بررسی اثرهای متقابل بین دو هورمون در مرحله تاثیر متقابل محیط کشت فاقد هورمون نیز به عنوان تیمار دیگر انتخاب و برای رعایت تناسب کران بالا و پایین برای اجرای طرح رویه پاسخ در مرحله بعد به عنوان سومین غلظت مطلوب محیط کشت دارای غلظت هورمون ۰۶/۰ میلی­گرم در لیتر NAA (تیمار سوم) انتخاب گردید.
(( اینجا فقط تکه ای از متن درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت nefo.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. ))

شکل ۵-۵) مقایسه ریشه­زایی ریزنمونه­های گره­ای بین محیط کشت فاقد هورمون و محیط کشت­های دارای هورمون NAA. از سمت راست به چپ به ترتیب محیط کشت فاقد هورمون، غلظت ۰۳/۰ میلی­گرم NAA و غلظت ۰۶/۰ میلی­گرم NAA.
۵-۸-آزمایش ۸: بررسی اثر متقابل هورمون­های برتر بر روی رشد و نمو گیاهچه­:
با توجه به نتایج بهینه­سازی تیمارهای آزمایش، محیط کشت مناسب برای تولید گیاهچه از ریزنمونه­های گره­ای برای رقم ساوالان محیط کشت MS همراه با غلظت ۱۹/۱ میلی گرم در لیتر GA3 و ۰۶/۰ میلی­گرم در لیتر NAA (نمودار ۵-۱)، برای رقم سانته محیط کشت MS همراه با غلظت ۲۰/۱ میلی گرم در لیتر GA3 و ۰۶/۰ میلی­گرم در لیتر NAA (نمودار ۵-۲)، برای رقم آگریا محیط کشت MS همراه با غلظت ۲۰/۱ میلی گرم در لیتر GA3 و ۰۶/۰ میلی­گرم در لیتر NAA (نمودار ۵-۳) و برای رقم مارکیز محیط کشت MS همراه با غلظت ۰۶/۰ میلی­گرم در لیتر NAA (نمودار ۵-۴) پیشنهاد می­گردد.
نتایج حاصل از این آزمایش با نتایج تاور و همکارانش (۱۹۸۵) مطابقت نداشت. در آزمایش تاور و همکارانش استفاده از محیط کشت حاوی ۵/۰ میلی­گرم در لیتر BAP، ۴/۰ میلی­گرم در لیتر GA3 و ۰۱/۰ میلی­گرم در لیتر NAA به عنوان محیط کشت بهینه برای تولید گیاهچه معرفی شده بود این در حالی است که در آزمایش انجام شده استفاده از سه هورمون داخل محیط کشت موجب گیج شدن گیاه و نداشتن رشد مطلوب آن گردید. هم­چنین تاور و همکارانش محیط کشت بهینه برای رشد گیاهچه سیب­زمینی را محیط فوق معرفی نمودند در صورتی که در آزمایش انجام شده هر رقم برای رشد بهینه نیاز به محیط کشت جداگانه مخصوص به خود داشت.
هورمون BAP زمانی که به عنوان تنها هورمون مورد استفاده در آزمایش بکار گرفته می­ شود سبب افزایش رشد گیاهچه و شاخه­زایی می­گردد اما هنگامی که به صورت اثر متقابل با دیگر هورمون­ها از آن استفاده شد موجب کاهش در رشد گیاهچه گردید. اثرات متقابل هورمون GA3 و هورمون NAA سبب افزایش رشد و شاخه­زایی در گیاهچه گردید. ریشه­زایی در محیط حاوی هورمون­های NAA و GA3 نسبتا مطلوب ولی حضور هورمون BAP در محیط کشت مانع ریشه­زایی شد (شکل ۵-۶ و ۵-۷).
مقایسه­ رشد گیاهچه در محیط­های بهینه شده بین ارقام مختلف نشان می­دهد که رقم ساوالان با مطلوبیت ۸۱۳/۰ بیشترین رشد گیاهچه را در بین ارقام مختلف دارا می­باشد. پس از رقم ساوالان ارقام آگریا با مطلوبیت ۶۸۳/۰، مارکیز با مطلوبیت ۵۶۸/۰ و در آخر رقم سانته با مطلوبیت ۵۲۲/۰ قرار دارند (شکل ۵-۸).
شکل ۵-۶) مقایسه رشد ریشه رقم آگریا. A: محیط کشت حاوی GA3 و NAA، B: محیط کشت حاوی BAP، GA3 و NAA، C: محیط کشت حاوی BAP و NAA، D: محیط کشت حاوی BAP و GA3.
شکل ۵-۷) مقایسه رشد گیاهچه رقم ساوالان. A: محیط کشت حاوی GA3 و NAA، B: محیط کشت حاوی BAP، GA3 و NAA، C: محیط کشت حاوی BAP و NAA، D: محیط کشت حاوی BAP و GA3.
شکل ۵-۸) مقایسه رشد و نمو گیاهچه ارقام مختلف سیب­زمینی. A: رقم ساوالان، B: رقم سانته، C: رقم آگریا و D: رقم مارکیز.
نمودار۵-۱) نمودار بهینه­سازی اثر متقابل هورمون­ها بر روی رشد و نمو گیاهچه رقم ساوالان

نمودار۵-۲) نمودار بهینه­سازی اثر متقابل هورمون­ها بر روی رشد و نمو گیاهچه رقم سانته
نمودار۵-۳) نمودار بهینه­سازی اثر متقابل هورمون­ها بر روی رشد و نمو گیاهچه رقم آگریا
نمودار۵-۴) نمودار بهینه­سازی اثر متقابل هورمون­ها بر روی رشد و نمو گیاهچه رقم مارکیز
۵-۹- آزمایش ۹: بررسی اثر ۲iP بر روی تولید ریز­غده­:
از بین صفت­های اندازه ­گیری شده مرحله ریزغده مهم­ترین صفت جهت انتخاب محیط کشت برتر مربوط به تعداد ریزغده در هر گیاهچه می­باشد و سایر صفت­ها در جایگاه بعدی اهمیت قرار می­گیرند. نتایج بدست آمده از آزمایش بررسی اثر ۲iP بر روی تولید ریزغده­های حاصل از کشت گیاهچه نشان داد که محیط کشت فاقد هورمون ۲iP از نظر صفت تولید تعداد ریزغده در هر گیاهچه دارای برتری نسبی نسبت به محیط­های کشت دارای هورمون ۲iP بود و هم­چنین از نظر سایر صفات نیز تفاوت معنی­داری با محیط­های کشت دارای هورمون ۲iP نداشت. بنابراین نتایج هورمون ۲iP هورمون مناسب برای ورود به مرحله تاثیر متقابل تشخیص داده نشد.
پیشنهاد می­گردد محققین گرامی یا دانشجویان عزیزی که می­خواهند در این زمینه فعالیت داشته باشند اقدام به بررسی غلظت­های یالاتر این هورمون بر روی ریزغده­زایی گیاه سیب­زمینی نمایند. غلظت­های پیشنهادی (۰، ۵/۲، ۵، ۵/۷، ۱۰، ۵/۱۲ و ۱۵ میلی­گرم در لیتر) می­باشند.

شکل ۵-۹) ریزغده­زایی در حضور هورمون ۲iP
۵-۱۰- آزمایش ۱۰: بررسی اثر BAP بر روی تولید ریز­غده­:
بر طبق نتایج بدست آمده هورمون BAP دارای اثر مثبت بر ریزغده­زایی ارقام سیب­زمینی به کار رفته در آزمایش می­باشد. تمامی ارقام بیشترین میزان ریزغده­زایی را در تیمار شماره سه (غلظت ۵ میلی­گرم در لیتر BAP) نشان دادند، بررسی­های آماری نیز حاکی از وجود تفاوت معنی­دار بین این تیمار و سایر تیمارهای بکار رفته در این آزمایش بود. نتایج حاصل از این آزمایش با نتایج عبادی و ایرانبخش (۲۰۱۱) مطابقت داشت.
با توجه به افزایش معنی­دار تعداد ریزغده توسط هورمون BAP این هورمون برای بررسی اثر متقابل با سایر هورمون­ها انتخاب گردید. غلظت ۵ میلی­گرم در لیتر BAP به عنوان غلظت برتر و غلظت ۱۰ میلی­گرم در لیتر هورمون BAP به همراه محیط کشت فاقد هورمون به عنوان سایر سطوح تیماری برتر به مرحله بررسی اثر متقابل برده شدند.
شکل ۵-۱۰) ریزغده­زایی در حضور هورمون BAP
۵-۱۱- آزمایش ۱۱: بررسی اثر CCC بر روی تولید ریز­غده:
بر طبق نتایج بدست آمده هورمون CCC دارای اثر مثبت بر ریزغده­زایی ارقام سیب­زمینی به کار رفته در آزمایش می­باشد. تمامی ارقام بیشترین میزان ریزغده­زایی را در تیمار شماره سه (غلظت ۵۰۰ میلی­گرم در لیتر CCC) نشان دادند، بررسی­های آماری نیز حاکی از وجود تفاوت معنی­دار بین این تیمار و سایر تیمارهای بکار رفته در این آزمایش بود. نتایج این تحقیق با نتایج حسین^[۱۵۰] و همکارانش (۲۰۰۶) مطابقت نداشت، علت این امر این بود که حسین و همکارانش از غلظت­های بیش از ۲۵۰ میلی­گرم در لیتر در تحقیقاتشان استفاده نکرده بودند.
با توجه به افزایش معنی­دار تعداد ریزغده توسط هورمون CCC این هورمون برای بررسی اثر متقابل با سایر هورمون­ها انتخاب گردید. غلظت ۵۰۰ میلی­گرم در لیتر CCC به عنوان غلظت برتر و غلظت ۱۰۰۰ میلی­گرم در لیتر هورمون CCC به همراه محیط کشت فاقد هورمون به عنوان سایر سطوح تیماری برتر به مرحله بررسی اثر متقابل برده شدند.
شکل ۵-۱۱) ریزغده­زایی در حضور هورمون CCC
۵-۱۲- آزمایش ۱۲: بررسی اثر GA3 بر روی تولید ریز­غده­:
نتیجه آزمایش بیانگر نقش منفی اثرات هورمون GA3 در تشکیل ریزغده سیب­زمینی است. نتایج آزمایش توسط تحقیقات اطرشی و همکاران (۱۳۸۹) و وانگ و هو (۱۹۸۲) تایید می­گردد. غلظت­های مختلف هورمون GA3 در شرایط تاریکی سبب تحریک افزایش شاخه­زایی در گیاهچه گردید. شاخه­ های تولید شده به علت عدم وجود نور فاقد کلروفیل به رنگ سفید دیده شدند (شکل ۵-۱۲).
شکل ۵-۱۲) تحریک شاخه­زایی در محیط کشت حاوی هورمون GA3 و شرایط تاریکی
۵-۱۳- آزمایش ۱۳: بررسی اثر NAA بر روی تولید ریز­غده­:
بر طبق نتایج بدست آمده هورمون NAA دارای اثر مثبت بر ریزغده­زایی ارقام سیب­زمینی به کار رفته در آزمایش می­باشد. تمامی ارقام بیشترین میزان ریزغده­زایی را در تیمار شماره دوم (غلظت ۵/۰ میلی­گرم در لیتر NAA) نشان دادند، بررسی­های آماری نیز حاکی از وجود تفاوت معنی­دار بین این تیمار و سایر تیمارهای بکار رفته در این آزمایش بود.
با توجه به افزایش معنی­دار همه صفات توسط تیمار دوم (غلظت ۵/۰ میلی­گرم در لیتر NAA)، این تیمار به عنوان تیمار برتر برای آزمایش­های مرحله اثر متقابل انتخاب گردید. علاوه بر تیمار دوم، تیمارهای اول و سوم نیز برای بررسی­های بیشتر و دقیق­تر جهت حضور در آزمایش­های اثر متقابل هورمون­های برتر بر روی ریزغده­زایی ارقام سیب­زمینی انتخاب گردیدند.
شکل ۵-۱۳) ریزغده­زایی در حضور هورمون NAA
۵-۱۴-آزمایش ۱۴: بررسی اثر متقابل هورمون­های برتر بر روی تولید ریزغده:
با توجه به نتایج بهینه­سازی تیمارهای آزمایش، محیط کشت مناسب برای تولید ریزغده و سایر صفات موثر بر آن (اندازه و وزن ریزغده و تعداد چشم در آن) برای رقم ساوالان محیط کشت MS همراه با غلظت ۱۰۰۰ میلی­گرم در لیتر CCC (نمودار ۵-۵)، برای رقم سانته محیط کشت MS همراه با ۱۰۰۰ میلی­گرم در لیتر CCC با مطلوبیت ۷۴۳/۰ (نمودار ۵-۶)، برای رقم آگریا محیط کشت MS همراه با غلظت ۹۵/۹۹۹ میلی­گرم در لیتر CCC نمودار (۵-۷) و برای رقم مارکیز محیط کشت MS همراه با غلظت ۱۰۰۰ میلی­گرم در لیتر CCC و ۰۲/۰ میلی­گرم در لیتر NAA (نمودار ۵-۸) پیشنهاد می­گردد.
نتایج حاصل از آزمایش با نتایج تاور و همکارانش (۱۹۸۵) مطابقت نداشت. این محققین محیط کشت مناسب جهت ریزغده­زایی را محیط کشت MS همراه با ۵ میلی­گرم در لیتر BAP و ۵۰۰ میلی­گرم در لیتر CCC معرفی نمودند این در حالی است که در این آزمایش پس از بهینه­سازی تیماری محیط کشت متناسب با هر رقم برای تولید حداکثری ریزغده معرفی گردید.
عبادی و ایرانبخش (۲۰۱۱) بیان داشتند بیشترین میزان تولید ریزغده برای رقم در محیط کشت MS حاوی ۵ میلی­گرم در لیتر BAP حاصل می ­آید که با نتایج این آزمایش تطابق نداشت. علت این عدم تطابق عدم حضور هورمون CCC در آزمایش­های این محققین بود. اطرشی و همکارانش (۱۳۸۹) بیان داشتند که حضور هورمون CCC در محیط کشت سبب افزایش تعداد و وزن ریزغده می­گردد که با نتایج حاصل از این آزمایش مطابقت دارد.
نمودار۵-۵) نمودار بهینه­سازی اثر متقابل هورمون­ها بر روی تولید و رشد ریزغده رقم ساوالان
نمودار۵-۶) نمودار بهینه­سازی اثر متقابل هورمون­ها بر روی تولید و رشد ریزغده رقم سانته
نمودار۵-۷) نمودار بهینه­سازی اثر متقابل هورمون­ها بر روی تولید و رشد ریزغده رقم آگریا
نمودار۵-۸) نمودار بهینه­سازی اثر متقابل هورمون­ها بر روی تولید و رشد ریزغده رقم مارکیز
مقایسه­ تولید ریزغده در محیط­های بهینه شده بین ارقام مختلف نشان می­دهد که رقم سانته با مطلوبیت ۷۴۳/۰ بیشترین رشد تولید ریزغده را در بین ارقام مختلف دارا می­باشد. پس از رقم سانته ارقام آگریا با مطلوبیت ۵۹۶/۰، ساوالان با مطلوبیت ۵۳۷/۰ و در آخر رقم مارکیز با مطلوبیت ۲۸۱/۰ قرار دارند (شکل ۵-۱۴).
شکل ۵-۱۴) ریزغده­زایی توسط ارقام مختلف. A: ساوالان، B: سانته، C: آگریا و D: مارکیز.
مقایسه اندازه ریزغده تولیدی توسط ارقام مختلف نشان داد که رقم مارکیز تولید ریزغده با اندازه بزرگتر نسبت به سایر ارقام می نماید. پس از رقم مارکیز به ترتیب ارقام سانته، آگریا و ساوالان قرار دارند (شکل ۵-۱۵).
شکل ۵-۱۵) مقایسه اندازه ریزغده­های تولیدی. A: ساوالان، B: سانته، C: آگریا و D: مارکیز.

در بعضی از این روش­ها ضریب هدایت­هیدرولیکی به صورت تئوری اندازه ­گیری می­ شود که اساس همه آن­ها فرمول دارسی است. در این روش دیتاهای بدست آمده از آزمایش در رابطه­ای که از فرمول دارسی مشتق شده قرار داده می­ شود و ضریب هدایت­هیدرولیکی به دست می ­آید. همچنین فرمول­های تجربی زیادی بر اساس شرایط دانه­بندی و نوع خاک ارائه شده ­اند که اساس همه آن­ها درشتی ذرات خاک است (کاسنوف^[۲۴]، ۲۰۰۲).
در سال ۲۰۰۷، اودنگ^[۲۵]، بررسی­های خود را صرفا به محاسبه ضریب هدایت­هیدرولیکی با بهره گرفتن از فرمول­های مختلف تجربی اختصاص داد. وی فرمول های هیزن، کازنی – کارمن، بریر ، اسلیچر، ترزاقی، USBR و آلیاماتی و سن را برروی چهار نوع خاک با دانه بندی مختلف از ماسه متوسط تا شن استفاده کرد و ضریب هدایت­هیدرولیکی را از آزمون پمپاژ از چاه بدست آورد تا بتواند نتایج به دست آمده از فرمول­های تجربی را با مقادیر واقعی صحرایی مقایسه کند. وی فرمول تجربی کازنی – کارمن و پس از آن فرمول هیزن را برای خاک های ماسه ای و فرمول بریر را برای شن پیشنهاد نمود (اودونگ، ۲۰۰۷).

( اینجا فقط تکه ای از متن فایل پایان نامه درج شده است. برای خرید متن کامل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )

چی یانگ^[۲۶] و همکارانش در سال ۲۰۰۸ روش های مختلف استفاده از فرمول های تجربی و برداشت از آبخوان را برای محاسبه ضریب هدایت هیدرولیکی ارزیابی نمودند و اعلام کردند که مقدار محاسبه شده ضریب هدایت هیدرولیکی آبخوان که از فرمول­های تجربی به دست آمده ۳/۳ برابر بیشتر از آزمون پمپاژ است. همچنین ضریب هدایت هیدرولیکی را از آزمون چاهک به دست آوردند که نتایج آن ۱۰ تا ۱۰۰ برابر کمتر از نتایج حاصل از فرمول­های تجربی و آزمون پمپاژ اعلام شد(چی یانگ و همکاران، ۲۰۰۸). در سال ۱۳۸۹ وزیریان و امانیان ضریب هدایت هیدرولیکی را در یک بررسی آزمایشگاهی از طریق آزمون پمپاژ به دست آوردند و نتایج را با رابطه تجربی هیزن مقایسه کردند. نتایج نشان داد که رابطه هیزن که می تواند به سهولت مورد استفاده قرار گیرد تقریب خوبی از ضریب هدایت هیدرولیکی به ما می دهد (وزیریان و امانیان، ۱۳۸۹).
در بررسی هیدرولیک آبخوان ها اثر مقیاس مدل بر روی نتایج در مقایسه با محیط طبیعی حائز اهمیت است. در سال ۱۹۹۵ مقاله ای توسط اسکولز- ماکوش و چرکاور با عنوان بررسی اثر مقیاس بر روی ضریب هدایت هیدرولیکی آبخوان در طی آزمایش پمپاژ ارائه شد. در واقع در آن زمان تحقیقات نشان می­داد که ضریب هدایت هیدرولیکی در طول آزمون پمپاژ با افزایش مقیاسی از آبخوان که تحت تاثیر برداشت از چاه صورت می گیرد افزایش خواهد یافت. این تحقیق به صورت آزمون های پمپاژ بر روی آبخوانی از جنس کربنات در ایالت ویسکوزین انجام شد و نگارنده اعلام نمود که عموما ضریب هدایت هیدرولیکی در طول آزمایش پمپاژ افزایش می­یابد و این موضوع مستقل از روش اندازه گیری و شیوه محاسبه ضریب هدایت هیدرولیکی، (روش کوپر-ژاکوب، روش تیس و روش تیم) می­باشد(اسکولز-ماکوش، ۱۹۹۵).
در سال ۲۰۰۵ تحقیق مشابهی توسط ایلمن^[۲۷] انجام شد و در آن ایالت آریزونای آمریکا در منطقه وسیعی آزمون تزریق به داخل چاهک و محاسبه ضریب هدایت هیدرولیکی غیراشباع به روش چاهک معکوس انجام شد و نتایج نشان داد که با افزایش منطقه­ای که تحت تاثیر آزمایش قرار می­گیرد، ضریب هدایت­هیدرولیکی افزایش خواهد یافت. نگارنده تحقیق مذکور علت این موضوع را افزایش شکستگی های به هم­پیوسته در بافت آبخوان در طی افزایش مقیاس آزمون بیان نمود(ایلمن، ۲۰۰۵).
وو^[۲۸] و همکارانش در سال ۲۰۰۸ به بررسی جریان آب­های زیرزمینی در آبخوان و مقایسه سرعت جریان در چاه (با بهره گرفتن از چند نوع دستگاه سنج) با سرعت طبیعی جریان آبهای زیرزمینی در آبخوان در فواصل دور از چاه (با بهره گرفتن از فرمول دارسی) پرداختند. آنها آزمایش های خود را بر روی یک مدل آبخوان آزمایشگاهی به طول ۸۰ سانتیمتر، عرض ۵۰ سانتیمتر و ارتفاع ۶۵ سانتیمتر انجام دادند و در تحقیق خود اعلام نمودند که برای جلوگیری از اثرات مرزها لازم است ابعاد مخزن خاک حداقل ۱۰ برابر شعاع چاه در آن مدل باشد(وو و همکاران، ۲۰۰۸).
ماسلینک^[۲۹] و همکارانش در سال ۲۰۰۹ به بررسی حرکت آب های زیرزمینی در آبخوان هایی که در مجاورت آب شور دریاها قرار دارند پرداختند. آن­ها برای انجام تحقیقات خود یک مدل آزمایشگاهی ساختند و آبخوانی را با ریختن شن موجود در ساحل بوجود آوردن و ضمن بررسی تداخل آب های شور و شیرین و میزان پیشروی آب شور به طرف ساحل، به بررسی اثر مقیاس برای مدلسازی آب­های زیرزمینی پرداختند. آن­ها در مقاله خود به این موضوع اشاره نمودند که در بررسی جریان آب­های زیرزمینی در آبخوان­ها توسط مدل­های آزمایشگاهی حرکت آب در خاک به صورت حرکت مولکول­های آب از میان خلل و فرج یک محیط متخلخل اتفاق می­افتد و این پدیده همان چیزی است که در یک آبخوان واقعی و یا به طور کلی در هر جریان آب­های زیرزمینی اتفاق می­افتد. آن­ها حرکت آب­های زیرزمینی در یک مدل آزمایشگاهی را مشابه جریان در آبخوان واقعی معرفی نمودند ولی عنوان کردند که لازم است به اثرات مرزها بر روی جریان­های زیرزمینی توجه شود(ماسلینک و همکاران، ۲۰۰۹).
نیهلم^[۳۰]و همکارانش در مقاله خود با عنوان پایین افتادن سطح آب در نهرها به علت برداشت آب های زیرزمینی توسط چاه­ها که در سال ۲۰۰۲ منتشر گردید، آبخوانی را در نظر گرفتند که شامل یک نهر بود و در آن جریان سطحی وجود داشت. همچنین آبخوان دارای چاهی بود که توسط آن برداشت از آب های زیرمینی صورت می­گرفت(نیهلم و همکاران،۲۰۰۲).
با توجه به کارهای انجام شده، در این پژوهش سعی شده با سه روش آزمایشگاهی مختلف پارامترهای هیدرودینامیکی آبخوان سنجیده شود و با مقایسه با فرمول­های تجربی، اعتبار این روش­هادر بدست آوردن این ضرایب در آزمایشگاه سنجیده شود. سپس با بهره گرفتن از داده ­های آزمون پمپاژ خاک­ها با دانه بندی مختلف را در زمان رسیدن به تعادل، گسترش مخروط افت و گرادیان هیدرولیکی مقایسه شدند. ارتباط بین دانه­بندی و شعاع­تاثیر چاه، ارتباط دانه­بندی خاک با زمان رسیدن به تعادل، رابطه گرادیان هیدرولیکی ودانه­بندی خاک به صورت کمی بیان شد.
فصل سوم
تعیین پارامترهای هیدروژئولوژی با مدل فیزیکی
۳-۱- معرفی مدل فیزیکی
۳-۱-۱- معرفی دستگاه هیدرولوژی
دستگاه هیدرولوژی یک مدل فیزیکی برای شبیه سازی آبخوان می­باشد.این دستگاه در آزمایشگاه هیدرولیک دانشکده عمران دانشگاه یزد قرار دارد.
بعضی از مشخصات دستگاه مدل هیدرولوژی به شرح زیر است:
تغذیه ناحیه تحت پوشش نفوذپذیری باران توسط پاشنده های از بالا و یا آب­های زیرزمینی جاری از انتهای مخزن
پیستون های آب پاشی مناسب برای نیمه یا کل مساحت تحت پوشش
وجود پیزومترهایی برای اندازه ­گیری پروفیل سطح ایستابی آب
قابلیت اندازه ­گیری فروکش سطح آب برای چاه های متقابل کلی یا دوگانه
قابلیت تنظیم زاویه شیب برای سطح تحت پوشش
استفاده از دبی سنج برای اندازه ­گیری جریان تحت پوشش
اندازه ­گیری جریان­های سیلابی و چاه ها توسط سرریز مستطیلی کالیبره شده
نیاز به جریان برق برای راه اندازی دستگاه
فرایندهای فیزیکی قابل اجرا توسط دستکاه به شرح زیر می باشد:
شبیه­سازی حرکت آب­های زیرزمینی در آبخوان
برداشت از چاه و مشاهده مخروط افت سطح آب
ایجاد بارندگی و وقوع رواناب و بررسی هیدرولیک انتقال رسوب
بررسی روابط بارش و سیلاب برای نواحی خشک، اشباع شده نفوذپذیر با شیب­های متفاوت
بررسی اثر جریان آب ورودی بر روی سطح هیدروگراف جریان آب خروجی (بعلاوه جریان آب زیرزمینی)
اندازه ­گیری مخروط افت^[۳۱] برای یک چاه تک و مقایسه با اثر متقابل مخروط­های افت برای دو چاه مجاور
جریان از یک چاه در یک سفره آب مخروطی
قابلیت آب پخشان برای یک جزیره شبیه­سازی شده با جریان های بارش باران و چاه ها
انتقال رسوب در قسمت های پر پیچ و خم و شبیه­سازی رودخانه­ها
مطالعه اثر جریان آب بر روی ستون های پل شبیه سازی شده
این دستگاه دارای ابعاد ۴/۲ متر طول، ۱ متر عرض و ۸/۱ متر ارتفاع است (بلندی کل دستگاه) و ارتفاع مخزن خاک در این دستگاه ۲۲ سانتیمتر بوده و دارای حجم تقریبی ۴۴/۰ مترمکعب می­باشد(شکل ۳-۱).
(الف)
(ب)
شکل ۳-۱: الف ) دستگاه هیدرولوژی، ب) شمای کلی چرخه آب زیرزمینی در دستگاه
از آنجا که آزمایش های صحرایی محدود به بررسی آبخوان­هایی با شرایط ثابت می­باشند، این مدل دارای این قابلیت است که آزمایش را بر روی خاک های گوناگون انجام داده و اثر دانه بندی خاک بر روی حرکت آبهای زیرزمینی را بررسی نماید. همچنین در آزمایش­های صحرایی تاثیر شیب سنگ بستر^[۳۲] قابل بررسی نیست زیرا بررسی صحرایی بر روی آبخوانی که بتوان شیب بستر را در آن تغییر داد غیرممکن است. بنابراین برای بررسی این پارامتر می­توان به راحتی از دستگاه هیدرولوژی استفاده کرد.
دستگاه مدل هیدرولوژی در شکل (۳-۱) نشان داده شده است. با توجه به شکل، مخزن آب در قسمت پایینی دستگاه قرار گرفته و گنجایش ۲۰۰ لیتر آب دارد. آب داخل مخزن توسط پمپ به مخزن میانی که خاک در آن قرار می­گیرد منتقل می­ شود. مخزن خاک از دو طرف به دو دیواره محدود می­ شود که این سرریزها به اندازه ۲۰ سانتیمتر از دو لبه دستگاه فاصله دارند و محل ورود و خروج آب است. همان طور که در شکل (۳-۱ ب) مشاهده می­ شود لوله های P1 و P3 در سمت چپ دستگاه و لوله هایP2 و P4 در سمت راست دستگاه قرار گرفته­اند. با باز کردن شیر فلکه های B و C می­توان آب را به محفظه پشت سرریز سمت چپ و سمت راست دستگاه، به ترتیب منتقل نمود. همچنین با بهره گرفتن از شیر کنار گذر A می­توان دبی آب ورودی به چرخه هیدرولوژی را کنترل نمود. پس از وارد شدن آب به محفظه های سمت راست و چپ دستگاه، آب از میان صافی هایی که در بدنه دیواره نصب شده عبور کرده و وارد آبخوان می­ شود. همچنین می­توان با بستن این دریچه ها جریان آب را از روی سرریز برقرار نمود. ارتفاع لوله های P1 و P2 که آب را به سمت آبخوان هدایت می­ کنند و نیز لوله­های P3 و P4 که آب را به مخزن برمی­گردانند قابل تنظیم است. چنانچه دو لوله ورودی در زیر آب قرار گرفته باشند، با بالا و پایین رفتن تراز آب در دو محفظه دبی پمپ تحت تاثیر قرار خواهد گرفت. بنابراین برای آزمایش­هایی که در آن ها سطح ایستابی تغییر می­ کند بهتر است لوله های ورودی آب(P1وP2) در بالاترین تراز خود قرار­گیرند. با تغییر ارتفاع لوله های P3 و P4 می توان هد آب در دو انتهای مخزن خاک را تنظیم نمود.
دو عدد جک در سمت چپ مخزن خاک و زیر آن قرار گرفته است. با بهره گرفتن از این جک ها شیب آبخوان را می­توان تغییر داد. با چرخاندن جک­ها، مخزن خاک حول محوری که در سمت راست مخزن خاک و زیر سرریز پایین دست قرار گرفته می­چرخد. محدوده تغییرات مخزن نسبت به حالت افقی از ۲- تا ۲۳ سانتیمتر است که امکان تغییر شیب بستر نفوذناپذیر از ۱%- تا ۵/۱۱ % وجود دارد.
دو عدد چاه در مخزن خاک تعبیه شده که توسط آن ها می­توان برداشت آب از آبخوان را مدل نمود. چاه سمت چپ که W1 نامگذاری شده به فاصله ۷۰ سانتیمتر از بالادست و چاه سمت راست (W2) به فاصله ۷۰ سانتیمتر از پایین دست قرار دارد. با باز کردن شیر های F و G به ترتیب آب از چاه W1 و W2 خارج می­ شود. اگر نیازی به اندازه گیری دبی خروجی از چاه باشد می­توان با باز کردن شیر های D و E آب خروجی از چاه را به سمت سرریز مستطیلی که در زیر مخزن قرار گرفته هدایت نمود.
در کف مخزن خاک، ۲۰ عدد پیزومتر در امتداد محور طولی مخزن تعبیه شده و قرائت آن ها در جلوی دستگاه امکان پذیر است (شکل ۳-۲). با بهره گرفتن از این پیزومترها می­توان تراز سطح آب در نقاط مختلف آبخوان را مشاهده و ثبت نمود. خط کشی که در مجاورت پیزومترها وجود دارد نسبت به کف مخزن خاک مدرج شده است. بنابراین اعدادی که از پیزومترها خوانده می­ شود ارتفاع، نسبت به کف مخزن خاک است. فاصله بین پیزومترها در شکل ۳-۲ نشان داده شده است.
شیر فلکه H بلافاصله بعد از پمپ قرار گرفته که از طریق آن می­توان دبی آب ورودی به سیستم را کنترل نمود. دبی را می­توان توسط روتومتری که بعد از این شیر قرار دارد قرائت نمود. روتومتر از صفر تا ۲۲ لیتر بر دقیقه مدرج شده است.
شکل۳-۲: فاصله بین پیزومترها در دستگاه هیدرولوژی
۳-۲- مطالعات خاک شناسی
مخازن آب زیرزمینی غالبا از مواد رسوبی متشکل از ماسه، شن و قلوه سنگ و غیره تشکیل می­شوند. این ذرات و دانه­ های رسوبی ممکن است سخت نشده باشند، یا آنکه توسط سیمان مختصری به هم جوش خورده­باشند ولی به هرحال این ذرات و دانه­ها شبکه ای از فضاهای خالی را ایجاد می­ کنند که آب می ­تواند در آن ها ذخیره شود و حرکت کند. بنابراین تجزیه و تحلیل اندازه دانه­ های رسوبی در مطالعات هیدروژئولوژی اهمیت زیادی دارد و به وسیله آن یکی از شرایط فیزیکی محیط­های متخلخل را می­توان مشخص کرد. برای این کار از منحنی­هایی که توزیع اندازه دانه ها را نشان دهند استفاده می کنند(صداقت، ۱۳۸۷).

۳-۵-۲- مقاومت در مقیاس­های ریز
آن­چه در بخش­های قبل در رابطه با مقاومت الکتریکی در مواد ذکر شد، تنها برای مواد در مقیاس کپه­­ای مطرح گردید و هنگامی­که به ابعاد نانو می­رویم ممکن است بعضی از قوانین فیزیکی تغییر کنند. به عنوان نمونه ، یک سیم و اجزای یک مدار در مقیاس نانو ، لزوماً از قانون اهم پیروی نمی‌کنند . قانون اهم ، به جریان، ولتاژ و مقاومت بستگی دارد. اما در مقیاس نانو وقتی عرض سیم فقط به اندازه‌ی یک یا چند اتم باشد، الکترون‌ها باید در یک صف و به ترتیب و یک به یک از سیم رد شوند . بنابراین ممکن است قانون اهم در این مقیاس تا حدودی نقض شود و برای مواد نانویی باید بررسی صورت گیرد. در حقیقت در این مقیاس ، قوانین فیزیک کوانتوم وارد صحنه می‌شوند و امکان کنترل خواص ذاتی ماده از جمله دمای ذوب ، خواص مغناطیسی ، ظرفیت بار و حتی رنگ مواد ، بدون تغییر در ترکیب شیمیایی ماده وجود خواهد داشت. البته لازم به ذکر است که اختلافات قابل توجه در زمینه­ رسانندگی و عبور بارها از نانوماده­ای مانند نانوسیم که موضوع بحث ما می­باشد، هنگامی مشاهده می­ شود که قطر سیم با ابعاد اتمی قابل مقایسه باشد. راجع به این موضوع در ادامه بیشتر توضیح خواهیم داد.

( اینجا فقط تکه ای از متن فایل پایان نامه درج شده است. برای خرید متن کامل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )

۳-۵-۳- رسانش در سیم­های ریز
از دیدگاه رسانش می­توان سیم­های ریز را به سه ناحیه دسته­بندی کرد: ۱) ناحیه­ای که از قوانین مواد بصورت کپه­ای پیروی می­ کند که در مواد مختلف ابعاد متفاوتی دارند، اما می­توان گفت که برای سیم­هایی با قطر nm100 به بالا برای همه مواد صادق است. ۲) ناحیه­ای که تحت تاثیر اثرات کوانتمی و با ابعادی کمتر از مسیر آزاد میانگین ماده­ توده­ای است، و ۳) ناحیه­ای مابین این دو که در آن سیم­ها ابعادی از مرتبه­ی مسیر آزاد میانگین دارند. در ناحیه­ی اول که سیم­ها از خواص رسانشی مواد توده­ای مانند قانون اهم پیروی می­ کنند. در زیر توضیحی پیرامون دو ناحیه­ی دیگر می­دهیم.
۳-۵-۳-۱- رسانش در نانوسیم­ها در ناحیه­ی با اثرات کوانتمی
برای ناحیه­ی دوم که سیم قطری کمتر از مسیر آزاد میانگین ماده­ کپه­ای دارد و در آن اثرات کوانتمی بر ویژگی­های جابجایی اثر می­ گذارد، سیم، کوانتمی نامیده شده و می ­تواند شامل
نانوسیم­، نانومیله­ و نانولوله­هایی با قطرهای مطابق با این ناحیه­ ­باشد.
در این سیم­ها بعلت محدودسازی کوانتمی الکترون­های رسانش در جهت عرضی سیم، انرژی عرضی آن­ها به یک سری از مقادیر مجزای E₀ (انرژی حالت پایه)، E₁، و ….. کوانتیده می­ شود. یک نتیجه­ این کوانتیده­سازی انرژی، می ­تواند همان عدم پیروی از قانون اهم برای سیم­های کوانتمی باشد. بدنبال کوانتیده شدن انرژی الکترون، مقاومت نیز کوانتیده می­گردد. این گسسته شدن مقاومت، در محدوده­ رژیم نقل و انتقالات بالستیک که ابعادی قابل مقایسه با طول موج فرمی دارند می­باشد. در این حالت مقاومت مقادیری متناسب با دارد، که تغییراتی پله­ای با اندازه را بعلت محدودسازی توابع موج الکترونیکی توسط سطح، نشان می­دهد. همان­طور که مشاهده می­ شود A مساحت سیم و شامل قطر آن بوده و _Fλ طول موج فرمی بوده و طبق تعاریف بخش ۳-۴-۵ متناسب با بردار موج و در نتیجه انرژی فرمی می­باشد، در نتیجه کوانتیده شدن مقاومت بعلت کوانتیده بودن انرژی قابل توجیه است. نقل و انتقال در این مقیاس با بهره گرفتن از فرمول لاندا-بوتیکر^[۲۱] بخوبی توصیف می­گردد.
اهمیت این کوانتیده­سازی تناسب معکوس با قطر نانوسیم برای ماده­ داده شده نیز می­باشد.
در عمل کوانتیده­سازی رسانندگی نیمه­هادی­ها برای سیم­هایی با ابعاد عرضی زیادتر از فلزات مشاهده شده است.
بین این ناحیه و ناحیه­ی بالک با رژیم نقل و انتقال نفوذی^[۲۲] و تبعیت از قانون اهم، ناحیه­ایست که کم­تر به آن پرداخته شده است. در قسمت­ های بعد به بررسی این ناحیه، ­جاییکه بیان شد سیم ابعادی از مرتبه­ی مسیر آزاد میانگین دارد، می­پردازیم.
۳-۵-۳-۲- پیشینه­ی محاسبه­ی رسانندگی در ابعاد ریز نزدیک به مسافت آزاد میانگین
اندازه ­گیری اثرات اندازه و سطح مربوط به مقاومت ویژه در رساناها بخش وسیعی از توجهات در چند دهه­ گذشته بوده است . در فلزات در دماهای معمولی، مسافت آزاد میانگین الکترون­های رسانش خیلی کوچک­تر از کوچک­ترین اندازه یا ابعاد نمونه بوده و از این رو رسانندگی الکتریکی مستقل از اندازه و شکل آن است. در دماهای پایین بعلت کاهش نوسانات گرمایی شبکه، مسافت آزاد میانگین افزایش زیادی یافته و شرط بالا برای فیلم­ها و سیم­های خیلی نازک قابل تعمیم نخواهد بود.
اگر الکترون­ها در سطح داخلی فلز بازتاب آینه­ای پیدا کنند، رسانندگی شبیه حالت نمونه­های کپه­ای باقی خواهد ماند، زیرا ممنتوم حاصل از برخورد یک الکترون با سطح در جهت میدان ضایع نخواهد شد. اگر برخوردها در سطح ناکشسان باشند، رسانندگی بعلت افزایش انتقال تکانه (در طول میدان) از الکترون­ها به شبکه تنزل خواهد یافت. بنابر این لازم است تا پارامتری تعریف کرد که احتمال پراکندگی کشسان الکترون در سطح را معین کند.
تحقیقات نظری قبلی در این زمینه به دو دسته بندی تقسیم می­گردند، محاسبه­ی تقریبی و محاسبه­ی دقیق.
در اولی مهمترین مورد، روش معرفی شده توسط لوویل^[۲۳] (۱۹۳۶) است که بر پایه­ این فرض ساده­ است که همه مسیرهای آزاد در سطح شروع می­شوند، که اگر نمونه در مقایسه با مسافت آزاد میانگین نازک باشد، بطوری­که تعداد برخوردهای دور از مرز خیلی کمتر از تعداد برخوردها با سطح باشد، فرض قابل قبولی است. این روش بوسیله­ی لوویل (۱۹۳۶) برای فیلم­های نازک و بوسیله­ی آندره^[۲۴](۱۹۴۹) برای سیم­های نازک بکار رفت .
یکی از کار محاسباتی دقیق که تا کنون گزارش شده است، توسط فاچز^[۲۵](۱۹۳۸) ارائه شده، که روش­های تئوری ملکولی فلزات را برای مشکل رسانندگی الکتریکی یک فیلم نازک بکار برد و عبارتی قابل قبول برای طیف کاملی از ضخامت­ها بدست آورد. در ادامه از محاسبات فاچز و کارهای جدیدتر جهت تعیین مقاومت در ابعاد نانومتری استفاده خواهیم کرد.
۳-۵-۳-۳- رسانش در نانوسیم­های بس­بلور با ابعاد نزدیک به مسافت آزاد میانگین
برای جامدات با ابعاد محدود، تاثیرات اندازه­ کلاسیکی و همچنین کوانتمی وقتی قابل مشاهده خواهد بود که ابعاد ماده در حالت کلاسیک به مقدار مسافت آزاد میانگین الکترون و یا در حالت کوانتمی به طول موج فرمی، λ_F، نزدیک شود . مواد در ابعاد نانومتر بعلت وجود مراکز پراکندگی اضافی برای الکترون­های رسانش که در ادامه بیان خواهند شد، مقاومت ویژه­ی بیشتری دارند. افزایش مقاومت وقتی دیده می­ شود که حداقل یکی از ابعاد به مسیر آزاد میانگین الکترون­ها نزدیک شود، در نتیجه برخوردهای الکترون­ها با سطوح و مرزدانه­ها^[۲۶] در مقایسه­ با برخوردها با دیگر عیوب و ناخالصی­های شبکه قابل توجه می­ شود.
همچنانکه پیش­تر گفتیم مقاومت در فلزات به شکل و ابعاد آن وابسته نیست. در فیلم­های نازک دو مکانیسم می­توانند جهت توضیح وابستگی مقاومت ویژه به سطح بکار روند: یکی پراکندگی سطحی و دیگری پراکندگی مرزدانه. مشاهدات تجربی و نظری نشان می­ دهند که این مکانیسم­ها برای نانوسیم­هایی که دو بعد در حد نانو دارند نیز برقرار بوده و مقاومت ویژه در محدوده­ای خاص با کاهش عرض سیم افزایش پیدا می­ کند.
برای فیلم­های فلزی نازک، وقتی ضخامت فیلم تا زیر مسیر آزاد میانگین الکتریکی حالت توده­ای کاهش می­یابد، مقاومت ویژه افزایش خواهد یافت. کارهای اولیه توسط فاچز و ساندهیمر^[۲۷] (تئوری FS) ، این اثر را به پراکندگی پخشی^[۲۸] در مرزهای فیلم نسبت دادند، که در اصل یک محدودیت در مسیر آزاد میانگین وضع می­ کند (شکل (۳-۳)). با کاهش ابعاد و افزایش این پراکندگی­ها، از آن­جا که مقاومت ویژه بطور معکوس با مسیر آزاد میانگین متناسب است، مقدار مقاومت بطور پیوسته افزایش می­یابد. تحلیل آن­ نیز شامل مستقل از جهت بودن نسبتی از تابع توزیع الکترونی در سطوح فیلم (پراکندگی پخشی) در حل معادله­ جابجایی بولتزمن است.

شکل (۳-۳) تشریح تفاوت بین پراکندگی آینه­ای و پخشی سطح. یک الکترون ورودی(e^–) با سطح فلز برخورد می­ کند. برای بازتاب آینه­ای، مولفه­ی ممنتوم در طول میدان بکار رفته، معکوس می­باشد، در حالی­که برای بازتاب پخشی چنین نیست و الکترون بازتابی با جهتی تصادفی از ممنتوم دارد، در نتیجه شار جریان خالص کاهش می­یابد (افزایش مقاومت).
در اینجا از یک رویکرد ساده و انعطاف­پذیر مرتبط با روش چامبرز^[۲۹] استفاده می­کنیم که برپایه­ی استدلالات نظریه­ جنبشی، به جای حل معادله­ بولتزمن می­باشد. در این تحلیل تنها پارامترهای ناشناخته P، نسبت الکترون­هاییست که در سطح فیلم بطور آینه­وار منعکس می­ شود.
در اواخر ۱۹۶۰ انحرافات قابل توجهی از تئوری FS پیدا شد . این انحرافات بطور خاص با کار تئوری انجام شده توسط مایاداس^[۳۰] و شاتکس^[۳۱] حل گردید (تئوری ^[۳۲]MS). این نظریه افزایش مقاومت ویژه­ی فیلم­های نازک را به پراکندگی مرزدانه، که به اثر اندازه­ فاچز اضافه شده، نسبت می­دهد. کلید این کار در این بود که تا حدود ضخامت فیلم از مرتبه­ی µm1، قطر ذره­ای متوسط فیلم تقریباً برابر ضخامت فیلم است، که بعلت نوع رشد فیلم­های نازک می­باشد. هنگامی­که به سمت فیلم­های نازک­تر می­رویم، اندازه­ ذره­ای میانگین کاهش یافته و منجر به حضور مرزدانه­های بیشتر و از این­رو افزایش در مقاومت ویژه می­گردد. در تحلیل آن­ها مقاومت ویژه بعلت پراکندگی مرز دانه که از نوع پراکندگی پخشی است تا حد زیادی افزایش می­یابد. هر دو تئوری FS و MS می­توانند توافق قابل قبولی با داده ­های تجربی برای حالات مختلف را فراهم کنند . پارامترهای اصلی تئوری MS، P و ضریب بازتاب الکترون، R (احتمال میانگین بازتابش الکترون­ بوسیله­ی یک مرزدانه یا بازتابش پخشی) می­باشند.
بعنوان مثال برای طلا، R توسط پتانسیل­سنجی STM برای تک مرزدانه­ها از ۴/ ۰تا ۹/۰ اندازه ­گیری شده است . R را می­توان به آسانی و با فرض این­که مرزدانه برابر یک ردیف گم شده از اتم­ها است و در نتیجه ارتفاع سد الکترونیکی بعلت پتانسیل تصویری در زیر تراز تهی بطور موثر کاهش می­یابد، تخمین زد (شکل (۳-۶)). با بهره گرفتن از روش WKB برای طلا در سطح فرمی مقدار ۸۵/۰ R= بصورت نظری بدست می ­آید.

شکل (۳-۴) توضیح منشاء پراکندگی مرز-دانه. دوایر نشان­دهنده اتم­ها هستند و مرزدانه شامل یک ردیف گم شده از اتم­ها می­باشد. پتانسیل الکتریکی در بالا بصورت خط پر نشان داده شده و منحنی نقطه­ای آن­چه که سد الکترونیکی بدون پتانسیل تصویری خواهد بود را نشان می­دهد.
بر طبق این مدل مقاومت ویژه در نانوسیم­های طلا را بصورت نظری و تجربی مورد بررسی
قرار می­دهیم.
۳-۵-۳-۴ اندازه ­گیری تجربی مقاومت ویژه­ی نانوسیم طلا
یک سری از سیم­های طلا با سطح مقطع ۲۰ در ۱۵ الی ۸۰ نانومتر با ارتفاع nm500 داریم که با روش لیتوگرافی پرتوی الکترونی روی زیرلایه­ی Si تولید شده و مقاومت ویژه­ی تک نانوسیم، با روش اندازه ­گیری مقاومت چهار قطبی^[۳۳] در اتصال به کامپیوتر بدست آورده شده است. در این کار قبل از اندازه ­گیری مقاومت مورد نظر، سیم برای ۱۲ ساعت تا دمای c350⁰ بازپخت می­گردد تا پراکندگی ناخالصی زمینه که ناشی از وجود نقص و ناخالصی است، کاهش یابد. بعلت اثرات نامناسب گرمای ژول و نارسایی کاهش تحرک الکترونی در سیم­های باریک، در طول سنجش، جریان زیر µA50 نگه داشته می­ شود. برای هر سطح مقطع اختیاری آزمایش چهار بار انجام می­گیرد، که در نتیجه مقدار خطا به حدود Ωµ۵/۰± می­رسد. آزمایش­ها در دمای اتاق انجام می­گیرد و در نتیجه پراکندگی فونون- الکترون در مقاومت زمینه شرکت می­ کنند. نموداری از مقاومت ویژه­ی اندازه ­گیری شده بصورت تابعی از عرض سیم (یک ضلع مستطیلی سطح مقطع در nm20 ثابت می­ماند) در شکل (۳-۵) نشان داده شده است، که مربوط به دو نوع نانوسیم با اندازه دانه­ای متوسط ۲۰ و nm40 (بعد از بازپخت) می­باشد.
همان­طور که دیده می­ شود، برای حالتی که اندازه متوسط دانه nm20 است، وابستگی به اندازه برای مقاومت ویژه مشاهده نمی­گردد .
اما در حالتی که اندازه متوسط دانه nm40 (اندازه ­گیری شده توسط STM) است، زمانی که عرض سیم به زیر nm50-45 می­رود، مقاومت ویژه شروع به افزایش می­­کند. پس نیاز به توضیح دو حالت وجود دارد، ۱) وابستگی مقاومت ویژه به عرض نانوسیم، ۲) وابستگی به
اندازه­ متوسط ذره که در بحث تئوری به بررسی آن­ها می­پردازیم.
باید اشاره شود که از nm10 به پایین که تقریباً جزء محدوده­ سیم­های اتمی محسوب می­گردد و مقاومت کوانتیده است، آزمایش انجام نشده است.

شکل (۳-۵) نمودار اندازه ­گیری شده بصورت تجربی از وابستگی مقاومت ویژه به عرض سیم برای یک اندازه ذره­ای متوسط nm20 (دوایر پر) و nm40 (مثلث­ها) .
۳-۵-۳-۵- محاسبات نظری مقاومت ویژه­ی نانوسیم­ها
فرض می­کنیم که جملات پراکندگی سطحی (حالت FS) و پراکندگی مرزدانه (حالت MS) با زمان­های واهلش^[۳۴] t_FS و t_MS توصیف می­شوند. می­توان مقاومت ویژه­ی کل را به راحتی با محاسبه­ی هردو جمله بطور مجزا و ترکیب آن­ها تخمین زد. مقاومت ویژه­ی کل با یک زمان ترکیبی توصیف می­ شود.
با دنبال کردن رویکرد چامبرز ، می­توان مولفه­ی پراکندگی سطح مقاومت ویژه برای یک سیم با سطح مقطع مستطیلی را محاسبه کرد.
مسافت آزاد میانگین در اینجا با نماد λ، نسبت الکترون­هایی که از سطح بلور بطور آینه­ای منعکس شده ­اند،P، و عرض و پهنای سیم به ترتیب w و h (سطح مقطع سیم) و ضریب بازتاب مرزدانه، R هستند.
در حضور دیواره­ های پتانسیلی انعکاسی و بازتاب­های چندگانه­ی الکترون­های رسانش در این دیواره­ها که فاصله­ی جدایی متوسطی برابر اندازه­ متوسط ذره (خرده بلورها) دارند، هنگامی که اندازه­ خرده بلور برابر یا کوچک­تر از ضخامت فیلم نازک یا نانوسیم می­گردد، مسافت آزاد میانگین دچار تغییراتی می­ شود که برای بس­بلورهای مختلف محاسبه می­گردد .
برای مولفه­ی وابسته به اندازه (سطح مقطع سیم)،­ مقاومت ویژه بدست می ­آید:

(۳-۱۲)
که ρ_۰ مقدار مقاومت ویژه­ی کپه­ای است. در این رابطه انتگرال­ها در مختصات استوانه­ای و بر روی طول و عرض سیم (x و y) و ارتفاع سیم بر حسب زاویه­ی فضایی که جاروب می­ کند (θ و ) گرفته شده و hw مساحت سطح مقطع سیم است.
با بهره گرفتن از مدل MS نیز مولفه­ی مرزدانه­ی مقاومت ویژه بصورت زیر داده می­ شود:
(۳-۱۳)
که: