رلوکتانس کویل فاز X
رلوکتانس پنجره هسته

رلوکتانس مغناطیسی بخش پنجره هسته
شعاع سیم­پیچ i ام
اتفاع بین دو سیم­پیچ
مقاومت پوستی
مقاومت مستقیم
مقاومت مجاورت
رسانایی
عمق نفوذ
ضریب گذردهی الکتریکی خلا
ضریب گذردهی نسبی الکتریکی محیط
ارتفاع تغییر یافته سیم­پیچ
شعاع داخلی سیم­پیچ
شعاع خارجی سیم­پیچ
ضریب گذردهی الکتریکی مختلط
تعداد طبقات مدل الکتریکی متمرکز
ظرفیت خازنی بین دورهای یک دیسک
ظرفیت خازنی بین دورهای یک دیسک
ضخامت هادی در هر دیسک
تعداد دورهای یک دیسک
تعداد دیسک­های ادغام شده
مقاومت سری در مدل متمرکز
مقاومت سری تبدیل شده
کنداکتانس موازی در مدل متمرکز
آنتروپی
آنتروپی نرمالیزه شده
انرژی
انرژی نرمالیزه شده
مرکز ثقل بیضی
فهرست جدول‌ها
عنوان صفحه
جدول ‏۳‑۱: ماتریس اندوکتانس ترانسفورماتور سه فاز ۲۵
جدول ‏۳‑۲: مقادیر گذردهی الکتریکی مواد در ۲محیط روغنی و بیروغن[۸] ۳۳
جدول ‏۶‑۱: مقادیر نرمالیزه شده ویژگی های مورد استفاده – یک حالت برای هر خطا ۷۸

( اینجا فقط تکه ای از متن پایان نامه درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )

جدول ‏۶‑۳: مقایسه شش درخت تصمیم ۸۶
فهرست شکل‌‌ها
عنوان صفحه
شکل ‏۲‑۱: میزان تاثیر اجزای ترانسفورماتور در رخداد خطا]۲[ ۱۱
شکل ‏۲‑۲: شماتیک ترانسفورماتور سه ستونه با اتصال حلقه[۳۷] ۱۳
شکل ‏۲‑۳: توزیع شار نشتی و نیروهای شعاعی و محوری ایجاد شده توسط آن ۱۴
شکل ‏۲‑۴: برش از بالا- نیروی وارده بر استوانه سیم پیچ ۱۴
شکل ‏۲‑۵: تغییر شکل-سمت راست: Free- سمت چپ: Force 15
شکل ‏۲‑۶: جابه جایی محوری سیم پیچ ها نسبت به هم ۱۵
شکل ‏۲‑۷: تغییر فضای بین دو دیسک متوالی ۱۶
شکل ‏۳‑۱: اولین مدل ترانسفورماتور[۴۰] ۱۷
شکل ‏۳‑۲: مدل متمرکز الکتریکی ترانسفورماتور برای فاز X[46] 22
شکل ‏۳‑۳: مدار مغناطیسی معادل ترانسفورماتور سه فاز ۲۴
شکل ‏۳‑۴: وابستگی مقادیر حقیقی و موهومی نفوذپذیری مغناطیسی به فرکانس ۲۶
شکل ‏۳‑۵: توزیع چگالی شار مغناطیسی در پنجره هسته(از سمت فشارضعیف به طرف فشارقوی)[۳۵] ۲۸
شکل ‏۳‑۶: بخشهای iام و jام سیمپیچ ۲۸
شکل ‏۳‑۷: مقاومت کل متغیر با فرکانس سیمپیچ فشارقوی ۳۰